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　　3）通过“横向”比较我们发现：2003年R&D机构国际化和产出国际化得分高于R&D国际化综合得分，说明该年R&D机构和产出国际化水平要好于R&D国际化总体水平；同理可知，2005年R&D资金和机构国际化水平要好于R&D国际化总体水平；2006年只有R&D活动国际化水平要好于R&D国际化总体水平；2007年R&D资金、活动和产出国际化水平要好于R&D国际化总体水平；2008年R&D机构和产出国际化水平要好于R&D国际化总体水平。
　　4）各年的R&D资金、人员投入对应的活动及产出效率是不一样的，相对2006年的效率最高，R&D活动得分比资金和机构得分分别增加了9.1466、11.5618分，主要是因为新产品开发项目大幅的增加，但R&D产出提高的幅度不大，这提醒管理层应注意调整R&D投入的方向，加强对新产品开发项目的管理；2004年和2005年R&D活动得分相比资金、机构的得分均下降了，另外比较这两年的数据相比可以发现，2004年的R&D资金及机构国际化得分比2005年的高，但是R&D活动、产出得分却更低。由此可以说明，这两年特别是2004年R&D投入未能得到合理而有效的利用，这也提醒企业应加强R&D的预算及资金分配的控制，从而提高R&D投入的效率。
　　5对策建议：
　　为进一步吸引电子及通信设备制造外资企业在中国进行R&D投资，以提高其R&D国际化水平，建议
　　1）成立专门负责电子及通信设备制造企业R&D国际化的管理部门，其主要职能是对在华的电子及通信设备制造外资企业R&D国际化行为进行协调、管理，集中解决相关问题，在战略和规划上做出安排并进行政策研究；
　　2）完善相关人才培养、使用和激励机制，为市场提供更多的优秀人才，使人才成为吸引电子及通信设备制造外资企业在我国建立研发机构的重要因素。当今电子及通信设备制造外资企业R&D国际化投资之所以主要集中在美国、欧盟、日本这三个国家和地区，主要是因为他们在这个领域具有优势地位，而相关研发人才的不足以及招聘上的限制是其国在我国建立研发机构最主要的障碍。为此可以采取下列措施：鼓励技术参与收益分配，实行技术发明人持股制度，最大限度调动科技人员的积极性；重视并加大对国际电子及通信设备制造人才的吸引力度，对优秀的电子及通信设备制造R&D人员，在户口、出入境、子女上学、收入等方面给予政策优惠；
　　3）政府采取相应的产业倾斜政策，引导电子及通信设备制造外资企业提高在我国R&D国际化水平。具体的措施包括：提供贷款担保、对外国研发机构所需购买或租用的土地给予进一步的、对外资机构所需的进口设备和配件给予免税，并简化审批手续，学习新加坡、印度等国吸引外资研发机构投资的税收优惠政策经验，如对研发机构向国内其他企业转让技术免征营业税，对研发机构所得税给予比生产性企业更长的免税期；取消不必要及不合理的限制，给予外资研发机构以国民待遇；加强内外的宣传力度，扩大国际合作交流；减少企业R&D国际化的交易成本；突出知识产权的保护意识，制定法律明确产权归属，规范技术转让、转移程序等。

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